三星在 HBM 系列內存芯片上似乎遇到了一些問題，消息今年 2 月就有傳聞稱三星電子向英偉達供應的稱星存芯 HBM 內存存在裂紋而被英偉達拉黑，不過三星隨即發布聲明進行辟謠。內能通
現在湯森路透發布消息稱三星向英偉達供應的片因 HBM3 內存芯片因為存在發熱和功耗問題，沒有成功通過英偉達的發熱測試。
HBM 即高帶寬存儲器，和功耗問這是過英一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM，主要適用于高存儲器帶寬需求的偉達場景組合，尤其是測點網圖形處理器、網絡交換和轉發設備。試藍
英偉達的 AI 加速產品都需要極高的帶寬來提高性能，因此英偉達最初與 SK 海力士達成合作，稱星存芯由后者獨家供應 HBM3 內存芯片。內能通
不過從今年開始英偉達已經開始接受三星電子和美光提供的片因 HBM3 內存芯片，三家供應商里當前似乎也只有三星電子遇到問題，發熱目前英偉達的主力供應商仍然是 SK 海力士。
消息稱三星從去年開始就一直在嘗試通過英偉達的 HBM3 和 HBM3E 的測試，其中 8 層和 12 層的 HBM3E 芯片最近的一次失敗測試結果在 4 月公布。
既然沒有成功通過英偉達測試，那么三星電子自然還不算是該芯片的供應商，這種情況似乎也凸顯三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。
當然英偉達有自己的測試標準，三星其實也已經向其他客戶供應此類芯片，可能是英偉達的要求更高所以暫時三星還不搞定技術難題，只能看著 SK 海力士和美光了。
注：HBM3：指的是 HBM 第三個標準，每個標準里面還有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以這里指的并不是第三代。